06033J2R2BBTTR / AVX
Не поставляется
Добавить к сравнению
Ёмкость номинальная 2.2 пФ, Допуск по ёмкости ±0.1пФ , Напряжение постоянное номинальное 25 В, Тип диэлектрика SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE , Способ монтажа на плату, SMT , Температура рабочая -55 °C, Температура рабочая 125 °C, Длина 1.6 мм, Ширина 0.81 мм, Высота 0.63 мм, Примечание Film Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 25V, 4.5455% +Tol, 4.5455% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.0000022uF, Surface Mount, 0603 , Особенности High Temperature
Характеристики
-
Ёмкость номинальная2.2 пФ
-
Допуск по ёмкости±0.1пФ
-
Напряжение постоянное номинальное25 В
-
Тип диэлектрикаSILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE
-
Способ монтажана плату, SMT
-
Температура рабочая-55 °C
-
Температура рабочая125 °C
-
Длина1.6 мм
-
Ширина0.81 мм
-
Высота0.63 мм
-
ПримечаниеFilm Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 25V, 4.5455% +Tol, 4.5455% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.0000022uF, Surface Mount, 0603
-
ОсобенностиHigh Temperature