Ёмкость номинальная 6.8 пФ, Допуск по ёмкости ±0.1пФ , Напряжение постоянное номинальное 50 В, Напряжение переменное номинальное 50 В, Тип диэлектрика SILICON DIOXIDE AND OXYNITRIDE , Способ монтажа на плату, SMT , Шаг выводов 0.6 мм, Температура рабочая -55 °C, Температура рабочая 125 °C, Длина 1.6 мм, Ширина 0.8 мм, Высота 0.63 мм, Примечание Film Capacitor, Silicon Dioxide And Oxynitride, 50V, 1.4706% +Tol, 1.4706% -Tol, J, 30ppm/Cel TC, 0.0000068uF, Surface Mount, 0603 , Особенности High Temperature
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.