RF Bipolar Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Package/Case:SOT-23; Power Dissipation, Pd:150mW; Output Third Order Intercept Point, IP3:20dB; DC Current Gain Min (hfe):11; Leaded Process Compatible:Yes; Noise Figure, Typ:0.9dB
Корпус TO236 , Примечание —
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
TO236
Примечание
—
Ваше местоположение: Москва
Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.