2N1613 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.5 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 60 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4978 шт | — |
176,94
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.5 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота60 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39