2N2219 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.6 В, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 890 шт | — |
170,44
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.6 В
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39