2N2222A / Cdil
Cdil
%
Добавить к сравнению
Корпус TO206AA3 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 75 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 8924 шт | — |
32,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO206AA3
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное75 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18