2N2484 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 360 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 350 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 80 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3527 шт | — |
142,01
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность360 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии350 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота80 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18