2N3055 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 115 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 15 А, Граничная рабочая частота 2.5 МГц, Коэффициент усиления по току, min 5 , Примечание Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 800 шт | — |
180,93
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность115 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора15 А
-
Граничная рабочая частота2.5 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min5
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin