2N3700 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 15 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 5826 шт | — |
150,74
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min15
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18