2N4288 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 8 МГц, Коэффициент усиления по току, min 75 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность250 мВт
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота8 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min75
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-92