2N5087 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 40 МГц, Коэффициент усиления по току, min 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота40 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92