2N5322 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 75 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 10 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное75 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии700 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39