2SA933 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 140 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное40 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота140 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min25
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92