2SC1906 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 19 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 1 ГГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное19 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота1 ГГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-92