BC109B / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, TO-18; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:20V; Current, Ic Continuous a Max:0.1A; Voltage, Vce Sat Max:0.25V; Power Dissipation:0.6W; Hfe, Min:200; ft, Typ:150MHz; Case Style:TO-18; Termination Type:Through Hole; Current, Ic Max:0.1A; Current, Ic hFE:2mA; NF, Max:4dB; Pin Configuration:a; Pins, No. of:3; Power, Ptot:600mW; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:30V; ft, Min:150MHz
Корпус TO18 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 600 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 200 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 4565 шт | — |
167,92
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO18
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора200 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18