BC638 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор PNP; 60 В; 1 А; 800 мВт; 150 МГц
Характеристики:
- Конфигурация: PNP;
- Рассеиваемая мощность: 800 мВт;
- Напряжение коллектор-эмиттер, макс.: -60 В;
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В;
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 В;
- Ток коллектора: -1 А;
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц;
- Коэффициент усиления по току: 40...250;
- Рабочая температура: -55...+150 °С;
- Корпус: TO-92
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 шт | — |
145,45
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность800 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92