BC847 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 110 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 761 шт | — |
131,36
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность250 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии600 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min110
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon