BD676 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 4 А, Граничная рабочая частота 10 МГц, Коэффициент усиления по току, min 750 , Примечание Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность40 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Ток коллектора4 А
-
Граничная рабочая частота10 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min750
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 4A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
