P2N2222A / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Ток коллектора 800 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Ток коллектора800 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min40
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92