BL25CM1A-PARC / CN BELL

Добавить к сравнению

Корпус SOP8 , Тип памяти EEPROM , Подтип памяти EEPROM , Интерфейс SPI , Объём памяти 1.048576 Мбит, Организация памяти 131072 x 8 , Напряжение питания, min 2.8 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Особенности 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 75 нс

Сортировка
Количество	Отгрузка	Цена с НДС	Примечание	Купить	Сумма
12792 шт	—	75,00 от 1 шт		− +	0
Поиск по складам...
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
+ Показать еще предложения − Скрыть предложения

Итого

0 шт

Описания и документация

BL25CM1A-PARC_CN BELL.pdf

Характеристики

Корпус

SOP8
Тип памяти

EEPROM
Подтип памяти

EEPROM
Интерфейс

SPI
Объём памяти

1.048576 Мбит
Организация памяти

131072 x 8
Напряжение питания, min

2.8 В
Напряжение питания, max

5.5 В
Особенности

1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 2 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
Рабочая температура

-40 °C
Рабочая температура

85 °C
Время доступа

75 нс