BL25CM2A5-PARC / CN BELL
CN BELL
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип памяти EEPROM , Подтип памяти EEPROM , Интерфейс SPI , Объём памяти 2.097152 Мбит, Организация памяти 262144 x 8 , Напряжение питания, min 2.8 В, Напряжение питания, max 5.5 В, Особенности 1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 5 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V , Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 75 нс
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип памятиEEPROM
-
Подтип памятиEEPROM
-
ИнтерфейсSPI
-
Объём памяти2.097152 Мбит
-
Организация памяти262144 x 8
-
Напряжение питания, min2.8 В
-
Напряжение питания, max5.5 В
-
Особенности1 Million Write Cycles, 100 years data retention, 5 MHz clock frequency, Random and sequential Read modes, Byte Write within 8 ms, Page Write within 8 ms, Partial Page Writes Allowed, Write Protect: quarter, half or whole memory array, ESD/Latch-up protection HBM 8000V
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C
-
Время доступа75 нс