BC847CW-G / COMCHIP
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min420
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon