MMBT5401-G / COMCHIP
Не поставляется
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon