TV02W200B-G / COMCHIP
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Пиковая рассеиваемая мощность 1 кВт, Напряжение ограничения (номинальное) 23.35 В, Максимальное импульсное напряжение 32.4 В, Рассеиваемая мощность 400 мВт, Рабочее напряжение 20 В, Количество линий ограничения 1 , Напряжение ограничения (диапазон), min 22.2 В, Напряжение ограничения (диапазон), max 24.5 В, Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 20V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Пиковая рассеиваемая мощность1 кВт
-
Напряжение ограничения (номинальное)23.35 В
-
Максимальное импульсное напряжение32.4 В
-
Рассеиваемая мощность400 мВт
-
Рабочее напряжение20 В
-
Количество линий ограничения1
-
Напряжение ограничения (диапазон), min22.2 В
-
Напряжение ограничения (диапазон), max24.5 В
-
ПримечаниеTrans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 20V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon