Корпус TO252 , Схема включения диодов 1 , Максимальное обратное напряжение диода 650 В, Прямой ток диода (средний) 10 А, Прямое падение напряжения 1.27 В, Особенности SiC диод , Емкость перехода 0.035 мкФ, Рабочая температура -55 °C, Рабочая температура 175 °C
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.