Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.