+7 (495) 488-65-70
Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Примечание RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Junction FET
Запросить техническое описание
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.