Корпус TO18 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 360 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.