2N917 / Central
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 15 В, Граничная рабочая частота 500 МГц, Коэффициент усиления по току, min 20 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное15 В
-
Граничная рабочая частота500 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min20
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-72