Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.6 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.