S34MS01G100BHI003 / Cypress
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип памяти FLASH , Подтип памяти NAND , Интерфейс параллельная , Объём памяти 1 Гбит, Напряжение питания, min 1.7 В, Напряжение питания, max 1.95 В, Рабочая температура -40 °C, Рабочая температура 85 °C, Время доступа 45 нс
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип памятиFLASH
-
Подтип памятиNAND
-
Интерфейспараллельная
-
Объём памяти1 Гбит
-
Напряжение питания, min1.7 В
-
Напряжение питания, max1.95 В
-
Рабочая температура-40 °C
-
Рабочая температура85 °C
-
Время доступа45 нс