Корпус —, Конфигурация и полярность N , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Примечание Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Показать полное описаниеСкрыть полное описание
Характеристики
Корпус
—
Конфигурация и полярность
N
Рассеиваемая мощность
200 мВт
Примечание
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET