BC817-40Q-13-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 310 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 700 мВ, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 170 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность310 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии700 мВ
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min170
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon