BC857A-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
PNP, SOT-23
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 125 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии650 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min125
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon