BC857BW-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
PNP, SOT-323, h21=220..475, 200MHz
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 650 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 220 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии650 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min220
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon