Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 25 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.