BSN20-7 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
SOT23-3/N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 500 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.8 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.8 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 0.8 нКл, Рассеиваемая мощность 600 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 40 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса500 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.8 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.8 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора0.8 нКл
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора40 пФ