BSS138TA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 200mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 200 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.5 Ом, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 50 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса200 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.5 Ом
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность300 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора50 пФ