Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Ток коллектора 100 мА, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.