DDTC143TUA-7-F / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon