DMG6968U-7 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C 6.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 25 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 25 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1.8 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 12 В, Заряд затвора 8.5 нКл, Рассеиваемая мощность 1.3 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 151 пФ
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C6.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min25 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max25 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1.8 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора12 В
-
Заряд затвора8.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.3 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора151 пФ