DSS60600MZ4-13 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Корпус SOT223 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1.2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 350 мВ, Ток коллектора 6 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 70 , Примечание Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT223
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность1.2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии350 мВ
-
Ток коллектора6 А
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min70
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin