DZT5401-13 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
PNP TRANSISTOR 150V 0,6A SOT223
Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
КорпусTO261
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность1 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное150 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min50
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon