Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография DZT751-13 Diodes временно отсутствует

DZT751-13 / Diodes

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO261 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 600 мВ, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 145 МГц, Коэффициент усиления по току, min 40 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Характеристики

Корпус

TO261
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

1 Вт
Напряжение КЭ максимальное

60 В
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии

600 мВ
Ток коллектора

3 А
Граничная рабочая частота

145 МГц
Коэффициент усиления по току, min

40
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰