Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 150 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon