Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 330 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 50 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.