FMMT458TA / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Transistor (BJT) - diskret DIODES Incorporated FMMT458TA SOT-23-3 1 NPN
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 225 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.225A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора225 мА
-
Граничная рабочая частота50 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.225A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon