Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 500 В, Ток коллектора 150 мА, Граничная рабочая частота 60 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.