_500.jpeg "FMMT591")
FMMT591 / Diodes
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор средней мощности; PNP; SOT-223; -60 В; -1 A; 295 мОм; 500 мВт; hFE 100 мин.; ft 150 МГц; SOT-23; AEC-Q101
Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 350 мВ, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 300 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO236
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии350 мВ
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max300
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon