Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 220 мВ, Ток коллектора 1.5 А, Граничная рабочая частота 180 МГц, Коэффициент усиления по току, min 15 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.